Dünnschichten aus Halbleitern für Solarzellenanwendungen

Das Buch umfasst sechs Kapitel. Dünnschichten aus PbS, CdTe, ZnSe, Zn-CdS und CdS wurden mittels der Chemikalienbadabscheidung (CBD) hergestellt. Die Kristallstruktur und die Kristallitgröße der Dünnschichten wurden mittels Röntgendiffraktometrie (XRD) bestimmt. Die optischen Eigenschaften wurden anhand des Absorptionsspektrums im Ultraviolett-Visible-Bereich (UV-Vis) untersucht. Die Partikelgröße und Morphologie wurden mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Die dielektrischen Eigenschaften der Dünnschichten wurden im Frequenzbereich von 50 Hz bis 5 MHz bei verschiedenen Temperaturen untersucht. Darüber hinaus wurden elektronische Eigenschaften wie die Plasmaenergie der Valenzelektronen, die durchschnittliche Bandlücke oder Penn-Lücke, die Fermi-Energie und die elektronische Polarisierbarkeit der Dünnschichten berechnet.

Das Buch umfasst sechs Kapitel. Dünnschichten aus PbS, CdTe, ZnSe, Zn-CdS und CdS wurden mittels der Chemikalienbadabscheidung (CBD) hergestellt. Die Kristallstruktur und die Kristallitgröße der Dünnschichten wurden mittels Röntgendiffraktometrie (XRD) bestimmt. Die optischen Eigenschaften wurden anhand des Absorptionsspektrums im Ultraviolett-Visible-Bereich (UV-Vis) untersucht. Die Partikelgröße und Morphologie wurden mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Die dielektrischen Eigenschaften der Dünnschichten wurden im Frequenzbereich von 50 Hz bis 5 MHz bei verschiedenen Temperaturen untersucht. Darüber hinaus wurden elektronische Eigenschaften wie die Plasmaenergie der Valenzelektronen, die durchschnittliche Bandlücke oder Penn-Lücke, die Fermi-Energie und die elektronische Polarisierbarkeit der Dünnschichten berechnet.