Film sottili semiconduttori per applicazioni nelle celle solari

Il libro è composto da sei capitoli. I film sottili di PbS, CdTe, ZnSe, Zn-CdS e CdS sono stati realizzati mediante la tecnica di deposizione chimica in bagno (CBD). La struttura cristallina e la dimensione dei cristalliti dei film sottili sono state determinate mediante diffrazione dei raggi X (XRD). Le proprietà ottiche sono state studiate mediante lo spettro di assorbimento nell'intervallo ultravioletto-visibile (UV-Vis). La dimensione e la morfologia delle particelle sono state analizzate mediante microscopia elettronica a scansione. Le proprietà dielettriche dei film sottili sono state studiate nell'intervallo di frequenza compreso tra 50 Hz e 5 MHz a diverse temperature. Inoltre, sono state calcolate proprietà elettroniche quali l'energia del plasma degli elettroni di valenza, il gap energetico medio o gap di Penn, l'energia di Fermi e la polarizzabilità elettronica dei film sottili.

Il libro è composto da sei capitoli. I film sottili di PbS, CdTe, ZnSe, Zn-CdS e CdS sono stati realizzati mediante la tecnica di deposizione chimica in bagno (CBD). La struttura cristallina e la dimensione dei cristalliti dei film sottili sono state determinate mediante diffrazione dei raggi X (XRD). Le proprietà ottiche sono state studiate mediante lo spettro di assorbimento nell'intervallo ultravioletto-visibile (UV-Vis). La dimensione e la morfologia delle particelle sono state analizzate mediante microscopia elettronica a scansione. Le proprietà dielettriche dei film sottili sono state studiate nell'intervallo di frequenza compreso tra 50 Hz e 5 MHz a diverse temperature. Inoltre, sono state calcolate proprietà elettroniche quali l'energia del plasma degli elettroni di valenza, il gap energetico medio o gap di Penn, l'energia di Fermi e la polarizzabilità elettronica dei film sottili.